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存儲(chǔ)器芯片漲幅遠(yuǎn)大于合約價(jià)
目前主要存儲(chǔ)器大廠正密集與系統(tǒng) 模組廠進(jìn)行第2季合約價(jià)議價(jià)。渠道商透露出包括三星等主要的供應(yīng)商已經(jīng)通知調(diào)漲下季DRAM、NAND Flash合約
2020-03-30
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超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構(gòu)
目前有研究人員開(kāi)發(fā)了一種新的超低功耗ST-MRAM架構(gòu)，稱(chēng)為Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說(shuō)，SL-ST-MARM同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超高M(jìn)R比，高速開(kāi)關(guān)和低RA。
2020-03-26
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FLASH擦寫(xiě)壽命流程
由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒(méi)有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲(chǔ)器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來(lái)達(dá)
2020-03-24
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NAND Flash供不應(yīng)求
根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，2019年第四季度的NAND Flash銷(xiāo)售總量季增近10%，市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)逐漸供不應(yīng)求。研究中心認(rèn)為內(nèi)存芯片市
2020-03-20
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MRAM代替DRAM可防止數(shù)據(jù)丟失
STT-MRAM具有出色的工藝微縮能力，并且可以很容易地整合到當(dāng)前的晶圓工藝中。與需要不斷刷新的DRAM不同，STT-MRAM儲(chǔ)存數(shù)據(jù)并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止數(shù)據(jù)丟失
2020-03-18
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嵌入式MRAM適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備應(yīng)用
MRAM技術(shù)自20世紀(jì)90年代以來(lái)一直在發(fā)展，但尚未取得廣泛的商業(yè)成功。三星研發(fā)中心的首席工程師認(rèn)為現(xiàn)在是展示可制造和商業(yè)化的時(shí)候了。除了
2020-03-16
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