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鐵電存儲(chǔ)器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長(zhǎng)
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)
2020-05-06
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存儲(chǔ)單元分類(lèi)
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中
2020-04-29
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美國(guó)ISSI SRAM芯片IS62C10248AL
美國(guó)ISSI公司近年來(lái)，對(duì)精密半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)展到了汽車(chē)，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)
2020-04-27
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美光低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)
美光LPDDR5 DRAM內(nèi)存能滿(mǎn)足多個(gè)行業(yè)對(duì)內(nèi)存更高性能和更低功耗日益增長(zhǎng)的需求，這不僅僅局限于移動(dòng)行業(yè)，還包括汽車(chē)、個(gè)人電腦以及為5G和AI應(yīng)用打造的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。美光LPDDR5 DRAM內(nèi)存具備以下功
2020-04-24
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Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲(chǔ)器
MR4A16B是一款3 3V、并行I O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無(wú)限制的讀 寫(xiě)循環(huán)。在每次寫(xiě)入后，資料能持續(xù)保存超過(guò)20年。
2020-04-22
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靈動(dòng)微MCU 32位防疫產(chǎn)品輸液泵應(yīng)用解決方案
靈動(dòng)微MCU MM32F103產(chǎn)品使用高性能的 ARM? Cortex?-M3 為內(nèi)核的 32 位微控制器，典型工作頻率可達(dá)144MHZ，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型 I O 端口和外設(shè)連接到外部總線。
2020-04-20
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