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SRAM基本單元的3種狀態(tài)
SRAM的基本單元有3種狀態(tài)：standby (電路處于空閑), reading (讀)與writing (修改內(nèi)容) SRAM的讀或?qū)懩Ｊ奖仨毞謩e具有 "readability "（可讀）與 "write stability "（寫穩(wěn)定）
2020-02-25
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MR25H256-256Kb串行SPI接口MRAM
MR25H256 MR25H256A是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上將存儲器陣列組織為32Kx8（ SPI）總線。
2020-02-21
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汽車電子MCU設(shè)計方法
針對汽車電子領(lǐng)域來講，將對整車級、零部件級的電磁兼容要求強制性標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合到集成電路中的設(shè)計，才能使電路更易于設(shè)計出符合標(biāo)準(zhǔn)的最終產(chǎn)
2020-02-19
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MRAM場合應(yīng)用的例子
MRAM目前處于鎖定三大技術(shù)的早期階段：其一是作為非揮發(fā)性存儲器(NVM)領(lǐng)域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS
2020-02-17
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外部SRAM的優(yōu)缺點
部SRAM存儲器所提供比片內(nèi)存儲器更大的存儲容量，速度則是相當(dāng)快，但是稍略遜于片內(nèi)存儲器。常用的外部SRAM的容量可達(dá)128KB至10MB。
2020-01-20
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三星預(yù)計2020年MRAM達(dá)到16nm
MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場良性競爭的結(jié)果。
2020-01-19
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