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磁性非易失MRAM
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磁性隨機存儲器芯片（MRAM）磁性隨機存儲器芯片（MRAM）

一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。
它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，
以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。

Everspin 1Gb DDR3 Spin-Torque MRAM

The EMD4E001G[08G1/16G2] is an 128Mb x8 or 64Mb x16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3 operation at rates of up to 1333MT/sec/pin.  
It is available in a 78 BGA or 96 BGA package.
 
Everspin 256Mb DDR3 Spin-Torque MRAM
 The EMD3D256M08G1 32Mb x 8 or EMD3D256M16G2 16Mb x 16 Spin-Torque MRAM capable of DDR3  operation at rates of up to 1333MT/sec/pin. 
It is available in a 78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mm BGA package.

everspin stt-mram

Application Note: DDR3 ST-MRAM in Enterprise SSD
Utilizing Everspin ST-MRAM in an Enterprise SSD to greatly reduce power-fail energy storage while increasing SSD performance and density
 
Application Note:  As Enterprise SSDs continue to push the envelope in terms of system performance and smaller form factors, SSD solutions providers are facing greater challenges to increase performance and density while continuing to protect data-in-flight from power failures. NAND flash has not significantly increased in performance and the improvement in SSD performance is typically made by adding more parallel channels of flash. This increases the need for energy storage for power fail protection which in turn reduces space available for the storage array for a fixed form factor.
 
This app note explores the SSD architecture benefits of employing Everspin ST-MRAM on the DDR bus of the SSD controller to provide a high speed, nonvolatile write buffer in order to reduce power fail energy storage while increasing performance and storage density.

型號 容量 位寬 電壓 速度 封裝 溫度 包裝 狀態(tài) PDF
EMD4E001G08G1-150CAS1 1Gb 128Mb x8 -- 667MHz Commercial 78-BGA Tray CS 聯(lián)系我們
EMD4E001G08G1-150CAS1 1Gb 128Mb x8 -- 667MHz Commercial 78-BGA Tape & Reel CS 聯(lián)系我們
EMD4E001G16G2-150CAS1 1Gb 64Mb x16 -- 667MHz Commercial 96-BGA Tray CS 聯(lián)系我們
EMD4E001G16G2-150CAS1R 1Gb 64Mb x16 -- 667MHz Commercial 96-BGA Tape & Reel CS 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-150CBS1 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA Trays MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-150CBS1 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1333 0-85 BGA Trays MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-187CBS2T 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA 0-85 Tray MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-187CBS2R 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA 0-85 Tape and Reel MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-150CBS2T 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tray MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-150CBS2R 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tape and Reel MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-187CBS2T 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA 0-85 Tray MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-187CBS2R 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1066 BGA 0-85 Tape and Reel MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-150CBS2T 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tray MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-150CBS2R 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tape and Reel MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-150CBS1T 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tray MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M16G2-150CBS1R 256Mb 16Mb x 16 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tape and Reel MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-150CBS1T 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tray MP 聯(lián)系我們
EMD3D256M08G1-150CBS1R 256Mb 32Mb x 8 1.5v +/- 0.075v 1333 BGA 0-85 Tape and Reel MP 聯(lián)系我們
備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。