Everspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期,并擁有出色耐久性。與其他串行存儲器不同,這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的,而且沒有寫入延遲。對于MRAM來說,數據保持期長達20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。
型號 |
容量 |
位寬 |
封裝 |
電壓 |
溫度 |
MOQ(pcs) /Tray |
MOQ(pcs) /T&R |
PDF |
MR4A08BCMA35 |
16Mb |
2Mx8 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
480 |
2500 |
聯系我們 |
MR2A16AYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR2A16ACYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR2A16AVYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR2A16AMYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR4A08BYS35 |
16Mb |
2Mx8 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR4A08BCYS35 |
16Mb |
2Mx8 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR4A08BMA35 |
16Mb |
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48-BGA |
3.3V |
0℃to +70℃ |
480 |
2500 |
聯系我們 |
MR2A08ACMA35 |
4Mb |
512Kx8 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
696 |
2000 |
聯系我們 |
MR2A08AMA35 |
4Mb |
512Kx8 |
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3.3V |
0℃to +70℃ |
696 |
2000 |
聯系我們 |
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44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR2A08ACYS35 |
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44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR0A16AMYS35 |
4Mb |
64K x 16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
270 |
1500 |
聯系我們 |
MR2A08AYS35 |
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270 |
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聯系我們 |
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3.3V |
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480 |
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聯系我們 |
MR4A16BMA35 |
4Mb |
1Mx16 |
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480 |
2500 |
聯系我們 |
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54-TSOP |
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1000 |
聯系我們 |
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2000 |
聯系我們 |
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3.3V |
-40℃ to +85℃ |
696 |
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聯系我們 |
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128Kx8 |
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2.7VDD min, 1.8IO |
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696 |
2000 |
聯系我們 |
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3.3VDD, 1.8IO |
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聯系我們 |
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聯系我們 |
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聯系我們 |
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1500 |
聯系我們 |
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聯系我們 |
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聯系我們 |
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聯系我們 |
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1500 |
聯系我們 |
MR256A08BYS35 |
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44-TSOP |
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270 |
1500 |
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MR256A08BCMA35 |
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MR256DL08BMA45 |
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0℃to +70℃ |
696 |
2000 |
聯系我們 |
MR256D08BMA45 |
256Kb |
32Kx8 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃to +70℃ |
696 |
2000 |
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