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FRAM鐵電存儲(chǔ)器在汽車應(yīng)用方面的優(yōu)勢
相比于其他市場，汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺(tái)，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對(duì)此放
2020-05-21
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如何減小SRAM讀寫操作時(shí)的串?dāng)_
靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。在SRAM 存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_問題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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SRAM中的功耗來源
在CMOS電路中，功耗的來源主要有兩個(gè)方面（1）靜態(tài)功耗，即反向漏電流造成的功耗；（2）動(dòng)態(tài)功耗，由電路作開關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)進(jìn)入過渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位靜態(tài)RAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當(dāng)
2020-05-13
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SRAM靈敏放大器的類型及設(shè)計(jì)思想
為了在設(shè)計(jì)中既能提高存儲(chǔ)單元的讀取速度，又能增大信號(hào)的擺幅，在設(shè)計(jì)中，我們采用了差分與交叉耦合級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。
2020-05-11
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SRAM中靈敏放大器的原理
在SRAM 中，讀操作開始前，先要對(duì)兩條位線進(jìn)行預(yù)充電，將兩條位線初始化為相同的高電平。預(yù)充完后，字線選中的存儲(chǔ)單元對(duì)位線進(jìn)行充放電。
2020-05-08
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