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非易失性MRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)
2020-11-04
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NAND FLASH的接口控制設(shè)計(jì)
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand
2020-11-02
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SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)
計(jì)算機(jī)上廣泛應(yīng)用的內(nèi)存條具有速度高、容量大、接口標(biāo)準(zhǔn)、擴(kuò)展方便等優(yōu)點(diǎn)。在大容量,高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)域,應(yīng)用SDRAM內(nèi)存條代替一般的單片SDRAM存儲(chǔ)器，給實(shí)際電路的更改和存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展帶
2020-10-29
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如何解決MRAM壽命問題
在高密度MRAM模塊中會(huì)遇到磁介質(zhì)的不規(guī)則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導(dǎo)致讀寫錯(cuò)誤。這也就是說，MRAM的壽命和穩(wěn)定性會(huì)隨著MRAM容量的增加而面臨嚴(yán)峻的考驗(yàn)。
2020-10-27
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非易失性NV-SRAM的應(yīng)用
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)
2020-10-23
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當(dāng),但卻有著標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM無法比擬的絕對(duì)成本優(yōu)勢(shì)。此外,PSRAM還可提供極高的存儲(chǔ)密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機(jī)廠商手機(jī)擴(kuò)展功能的需要。
2020-10-20
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