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傳統(tǒng)存儲器和新興存儲器應(yīng)用
舊版存儲不再是使用壽命短的低端設(shè)備，因?yàn)橹饕?yīng)商都將精力集中在最新和最重要的產(chǎn)品上。隨著越來越多的智能設(shè)備和融合了AI的邊緣計(jì)算以
2020-11-20
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自旋傳遞扭矩STT-MRAM通用存儲器
自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結(jié)合了非易失性，出色的可擴(kuò)展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。自旋傳遞轉(zhuǎn)矩（STT）寫入是一種通
2020-11-18
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選擇低功率MCU需考慮外設(shè)功耗與電源管理
MCU功耗在目前的電池供電應(yīng)用中正變得越來越舉足輕重。大多MCU微控制器芯片廠商都提供低功耗產(chǎn)品，但是選擇一款最適合自己應(yīng)用的產(chǎn)品并非易事，并不像查詢對比數(shù)據(jù)表的數(shù)據(jù)那么簡單。
2020-11-16
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Cypress存取時(shí)間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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集成鐵電存儲器MCU為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供出色性能
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電
2020-11-10
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磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM基本原理
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)
2020-11-06
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