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鐵電RAM為何比串行SRAM更好
SRAM的功能及其為當(dāng)今產(chǎn)品提供的好處。還有另一種技術(shù)可以執(zhí)行相同的操作，在許多情況下會(huì)更好。FRAM與串行SRAM可以用來互相代替，可以提供更好的性能，更低的功耗以及更可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)環(huán)
2020-10-16
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串行SRAM和FRAM之間的相似之處
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細(xì)介紹了SRA
2020-10-14
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賽普拉斯的65nm SRAM與ASIC/FPGA/控制器的接口
賽普拉斯瞄準(zhǔn)的市場增長速度要快于包括汽車，工業(yè)和消費(fèi)電子市場任內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)。在安全無線技術(shù)，連同MCU，存儲(chǔ)器，模擬IC和USB控制器，
2020-10-12
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通用選擇器將大大提高M(jìn)RAM存儲(chǔ)技術(shù)能力
MRAM存儲(chǔ)器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲(chǔ)器適用于汽車和工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對于MRAM存儲(chǔ)器開發(fā)人員來說是重要的部分。
2020-10-09
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新興記憶存儲(chǔ)MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時(shí)進(jìn)一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時(shí)間的最佳精度。這轉(zhuǎn)化為最高的能源效率。
2020-09-29
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實(shí)例說明寫入FRAM的零時(shí)鐘周期延遲的影響
一個(gè)典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時(shí)間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致寫入時(shí)間較長。相比之下的FRAM不會(huì)使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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