NAND FLASH的接口控制設(shè)計(jì)
來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2020-11-02 11:13:55
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。
NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。本篇文章存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子介紹關(guān)于NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)。
NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
大多數(shù)的NAND Flash都大同小異,所不同的只是該NAND Flash芯片的容量大小和讀寫(xiě)速度等基本特性。
塊Block 是 NAND Flash 的擦除操作的基本/最小單位。頁(yè)是讀寫(xiě)操作的基本單位。
每一個(gè)頁(yè),對(duì)應(yīng)還有一塊區(qū)域,叫做空閑區(qū)域/冗余區(qū)域,而在 Linux系統(tǒng)中﹐一般叫做OOB(Out Of Band)[2]。這個(gè)區(qū)域最初基于NAND Flash 的硬件特性﹐數(shù)據(jù)在讀寫(xiě)時(shí)候相對(duì)容易出錯(cuò)﹐所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性,必須要有對(duì)應(yīng)的檢測(cè)和糾錯(cuò)機(jī)制,此機(jī)制被叫做EDC /ECC。所以設(shè)計(jì)了多余的區(qū)域﹐用于放置數(shù)據(jù)的校驗(yàn)值。OOB的讀寫(xiě)操作一般是隨著頁(yè)的操作一起完成的,即讀寫(xiě)頁(yè)的時(shí)候,對(duì)應(yīng)地就讀寫(xiě)了OOB。OOB的主要用途:標(biāo)記是否是壞塊﹐存儲(chǔ)ECC數(shù)據(jù)﹐存儲(chǔ)一些和文件系統(tǒng)相關(guān)的數(shù)據(jù)。
NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)
由于NAND Flash只有8個(gè)I/O引腳,而且是復(fù)用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設(shè)計(jì)命令鎖存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址鎖存使能( Ad-dress Latch Enable,ALE),就是先要發(fā)一個(gè)CLE(或ALE)命令,告訴NAND Flash 的控制器一聲,下面要傳的圖1NAND Flash控制電路是命令(或地址)。這樣NAND Flash內(nèi)部才能根據(jù)傳入的內(nèi)容﹐進(jìn)行對(duì)應(yīng)的動(dòng)作。相對(duì)于并口的NOR Flash 的48或52個(gè)引腳來(lái)說(shuō),大大減小了引腳數(shù)目,這樣封裝后的芯片體積小。同時(shí)減少了芯片接口﹐使用此芯片的相關(guān)的外圍電路會(huì)更簡(jiǎn)化,避免了繁瑣的硬件連線。
NAND Flash的接口控制電路如圖1所示
關(guān)鍵詞: NAND FLASH
上一篇文章:SDRAM內(nèi)存條時(shí)序特點(diǎn)
宇芯有限公司自成立以來(lái),我們專(zhuān)注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psra