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異步快速Async Fast
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異步快速存儲(chǔ)器芯片（Async Fast SRAM）異步快速存儲(chǔ)器芯片（Async Fast SRAM）

一般來說單片機(jī)MCU會(huì)采用異步靜態(tài)歲級(jí)存儲(chǔ)器，
另外有些以并行方式接口的模擬/數(shù)字I/O器件，如A/D、D/A、開入/開出等，也會(huì)采用異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器比DRAM快些，并依賴于CPU的時(shí)鐘，
存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數(shù)據(jù)的速度越快。
issiISSI用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進(jìn)的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，以下產(chǎn)品是為異步快速存儲(chǔ)器芯片簡稱為：Async Fast SRAM，速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V，可以滿足大部分應(yīng)用的電壓設(shè)計(jì)，NETSOL品牌的容量大小高達(dá)32Mbit，相對Lyontek產(chǎn)品容量較大，如需要容量較大的應(yīng)用設(shè)計(jì)，可以采取NETSOL品牌的產(chǎn)品。
型號(hào) 容量 位寬 電壓(V) 速度(ns) 封裝(Pins) PDF
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IS61WV51216EDALL/BLL 8Mb 512Kx16 1.65-3.6V 8,10,20 TSOP2(44),BGA(48) 聯(lián)系我們
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