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Cypress存取時間為10納秒的異步SRAM
Cypress16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后
2020-11-12
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超低功耗MCU如何降低功耗
低功耗是MCU的一項非常重要的指標(biāo)，比如某些可穿戴的設(shè)備，其攜帶的電量有限，如果整個電路消耗的電量特別大就會經(jīng)常出現(xiàn)電量不足的情況。
2020-11-11
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集成鐵電存儲器MCU為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供出色性能
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電
2020-11-10
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讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)
MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成為其瓶頸，阻礙了其性能的進(jìn)一步提高。讀取優(yōu)先的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結(jié)構(gòu)這兩種策略可以提高M(jìn)RAM的性能及降低其功耗。
2020-11-09
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磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM基本原理
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計算機(jī)
2020-11-06
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MRAM高速緩存的組成
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計算機(jī)
2020-11-05
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