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易失性存儲(chǔ)DRAM詳解
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每
2020-12-08
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2020年第三季Nand Flash營(yíng)收僅微幅上升0.3%
根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處表示，第三季Nand Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達(dá)145億美元，季增0 3%，其中位元出貨季增9%，平均銷售單價(jià)則季減9%。
2020-12-07
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非易失性Flash詳解
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片
2020-12-04
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易失性存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)
存儲(chǔ)器概況存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體
2020-12-03
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嵌入式STT-MRAM效應(yīng)與流致反轉(zhuǎn)
最初的MRAM都是用微電磁線圈產(chǎn)生電磁場(chǎng)，使自由層的磁矩方向反轉(zhuǎn)來進(jìn)行0、1數(shù)據(jù)的讀寫。這種復(fù)雜的結(jié)構(gòu)大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進(jìn)程，因此當(dāng)時(shí)MRAM的存貯密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及DRAM和SRAM。
2020-12-02
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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的功耗,針對(duì)DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點(diǎn),提出了基于總線利用率動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)的讀寫歸并方案。該方案動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)外
2020-12-01
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