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如何解決MRAM壽命問題
在高密度MRAM模塊中會遇到磁介質的不規(guī)則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導致讀寫錯誤。這也就是說，MRAM的壽命和穩(wěn)定性會隨著MRAM容量的增加而面臨嚴峻的考驗。
2020-10-27
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斷電也能保存MRAM技術精髓
內存技術在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少，但并沒有實質性的改變。因為這些內存產品都是基于動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM的，一旦沒有持續(xù)的
2020-10-26
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非易失性NV-SRAM的應用
NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護的場
2020-10-23
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幾種非易失性存儲器的比較
SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源（如電池）供電時，他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的
2020-10-21
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PSRAM是異步SRAM的理想替代品
PSRAM與傳統(tǒng)的六晶體管(6T)SRAM單元性能相當,但卻有著標準異步SRAM無法比擬的絕對成本優(yōu)勢。此外,PSRAM還可提供極高的存儲密度,如32Mbit和64Mbit，可滿足手機廠商手機擴展功能的需要。
2020-10-20
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非易失性MRAM及其單元結構
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內存及EEPROM閃存，作為新一代計算機的內存。MRAM目前是新一代計算機內存的最佳候選者，但
2020-10-19
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