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通用選擇器將大大提高MRAM存儲技術能力
MRAM存儲器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲器適用于汽車和工業(yè)，軍事和太空應用，這些對于MRAM存儲器開發(fā)人員來說是重要的部分。
2020-10-09
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FRAM低功耗設計使寫非易失性數(shù)據(jù)操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1 3，而FRAM的待機 睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機 睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對功耗產生巨
2020-09-30
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新興記憶存儲MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時進一步降低了功耗要求。關鍵在于確定最低電壓和最短時間的最佳精度。這轉化為最高的能源效率。
2020-09-29
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Everspin MRAM替換FRAM
可靠性考慮比較FRAM架構采用鐵電材料作為存儲器件，這些材料具有一個固有的電偶極子，該偶極子在外部電場的作用下轉換為相反的極性。 FRAM
2020-09-28
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實例說明寫入FRAM的零時鐘周期延遲的影響
一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉移到非易失性EEPROM內。當需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時，會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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為高性能FPGA平臺選擇合適的存儲器
從純技術角度考慮兩個最廣泛使用的DRAM選項-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實質性的發(fā)展，約為
2020-09-25
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