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基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)
基于SMIC 28nm工藝節(jié)點(diǎn)仿真結(jié)果顯示,新型10T單元結(jié)構(gòu)在電源電壓為1 05V時(shí),和傳統(tǒng)6T單元相比,RSNM提升了 2 19倍,WM提升了 2 13倍。同時(shí),在單元讀寫(xiě)操作時(shí),錯(cuò)誤率較低。
2020-02-28
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SRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)的重要性
近年來(lái)SOC(片上系統(tǒng))技術(shù)逐漸成為IC設(shè)計(jì)業(yè)界的焦點(diǎn),SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為其必不可少的一部分被集成到SOC芯片中,由于高性能SRAM存儲(chǔ)器存在著不可或缺的應(yīng)用,一直是工業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究
2020-02-27
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新型非易失性MRAM優(yōu)勢(shì)
MRAM（磁性存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器。MRAM技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫(xiě)入能力，具有閃存的非易失性，容量密度及使用壽命不輸
2020-02-26
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SRAM基本單元的3種狀態(tài)
SRAM的基本單元有3種狀態(tài)：standby (電路處于空閑), reading (讀)與writing (修改內(nèi)容) SRAM的讀或?qū)懩Ｊ奖仨毞謩e具有 "readability "（可讀）與 "write stability "（寫(xiě)穩(wěn)定）
2020-02-25
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SPI FLASH讀寫(xiě)介紹
對(duì)flash芯片的操作，一般包括對(duì)flash芯片的擦除，編程和讀取，各大廠(chǎng)商的SPI flash芯片都大同小異，操作命令基本是沒(méi)什么變化的，當(dāng)我們拿到一款芯片，要特別注意芯片的容量，操作分區(qū)等。
2020-02-24
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MR25H256-256Kb串行SPI接口MRAM
MR25H256 MR25H256A是一個(gè)串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）的四針接口在邏輯上將存儲(chǔ)器陣列組織為32Kx8（ SPI）總線(xiàn)。
2020-02-21
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