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三星預(yù)計(jì)2020年MRAM達(dá)到16nm
MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。
2020-01-19
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可穿戴電子設(shè)備中的SRAM
在所有可用的存儲(chǔ)器中，SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因?yàn)樗cDRAM相比待機(jī)電流消耗較低，而且其存取時(shí)間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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存儲(chǔ)器SRAM仍是主流市場(chǎng)
低功耗SRAM存儲(chǔ)芯片，屬于靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片，產(chǎn)品的容量范圍為1 4 8 16Mb，常用容量為8Mb，電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ，部分器件有寬電壓的電壓范圍，速度在44 55 75ns
2020-01-16
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MCU軟件技術(shù)必將迎來(lái)新的發(fā)展浪潮
MCU軟件開(kāi)發(fā)主流平臺(tái)KEIL將自己的和第三方提供的中間件集成在同一開(kāi)發(fā)平臺(tái)上。MCU軟件開(kāi)發(fā)時(shí)，只需要將這些中間件集成到自己的軟件中，就可實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。
2020-01-15
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ST-MRAM類別及發(fā)展由來(lái)
隨著自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)以及材料和結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件應(yīng)運(yùn)而生。自從自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)被證實(shí)以來(lái)，一方面研究人員通過(guò)大量的努力嘗試降低磁化反轉(zhuǎn)的臨界電流
2020-01-14
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SRAM回歸主流嵌入式設(shè)計(jì)
SRAM不僅成本效益更高，而且還是技術(shù)一流的解決方案。與外部SRAM相比，嵌入式SRAM的存取時(shí)間更為出色，要知道對(duì)于高速緩存存儲(chǔ)器而言，存取時(shí)間是最關(guān)鍵的因素。
2020-01-13
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