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意法半導(dǎo)體MCU將IoT功能提升新高度
智慧城市提供的服務(wù)越來越多，而用于收費(fèi)的服務(wù)也逐漸增多。隨著城市物聯(lián)網(wǎng)(IoT)基礎(chǔ)設(shè)施不斷擴(kuò)展，當(dāng)?shù)仄髽I(yè)自然而然地也開始加以利用。在
2020-03-25
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FLASH擦寫壽命流程
由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲(chǔ)器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達(dá)
2020-03-24
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帶ECC的CMOS汽車異步SRAM
ISSI IS61 64WV5128EDBLL是高速，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可提供高性能和高性能低功耗設(shè)備。
2020-03-23
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NAND Flash供不應(yīng)求
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，2019年第四季度的NAND Flash銷售總量季增近10%，市場開始出現(xiàn)逐漸供不應(yīng)求。研究中心認(rèn)為內(nèi)存芯片市
2020-03-20
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QDR與DDR SRAM
由賽普拉斯、瑞薩、IDT、NEC和三星公司組成的QDR協(xié)會(huì)開發(fā)出了QDR SRAM，旨在通過把性能提升為原先的4倍來滿足那些不僅需要標(biāo)準(zhǔn)ZBT(零總線
2020-03-19
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MRAM代替DRAM可防止數(shù)據(jù)丟失
STT-MRAM具有出色的工藝微縮能力，并且可以很容易地整合到當(dāng)前的晶圓工藝中。與需要不斷刷新的DRAM不同，STT-MRAM儲(chǔ)存數(shù)據(jù)并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止數(shù)據(jù)丟失
2020-03-18
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