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每秒54Mb速度傳輸數(shù)據(jù)的富士通FRAM
富士通FRAM MB85RQ4ML是采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元的FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，配置為524,28個(gè)8字X 8位。
2020-04-13
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意法半導(dǎo)體MCU推出智能嵌入式應(yīng)用的STM32L4
意法半導(dǎo)體新推出的STM32L4+微控制器極具性價(jià)比，集成最低的存儲(chǔ)容量512KB的閃存和320KB的SRAM，提供緊湊的10mmx10mm64引腳和7mmx7mm48引腳
2020-04-10
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Everspin MRAM磁場(chǎng)抗擾度
Everspin Technologies，Inc 是設(shè)計(jì)，制造和商業(yè)銷(xiāo)售分立和嵌入式MRAM存儲(chǔ)器到市場(chǎng)和應(yīng)用程序的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在這些市場(chǎng)和應(yīng)用程序中，數(shù)據(jù)
2020-04-09
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賽普拉斯和Everspin MRAM器件區(qū)別是nvSRAM上的引腳
賽普拉斯和Everspin器件之間的主要區(qū)別是nvSRAM上的兩個(gè)引腳：VCAP和 HSB。這些引腳用于支持nvSRAM備份周期，并且對(duì)于MRAM的操作不是必需
2020-04-08
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選擇MRAM的理由
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以
2020-04-07
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MRAM的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM
2020-04-03
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