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SRAM存儲單元讀操作分析
一個典型的SRAM基本結(jié)構(gòu)中，每個存儲單元都通過字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲單元有電學(xué)連接關(guān)系。水平方向的連線把所有的存儲單
2020-04-28
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美國ISSI SRAM芯片IS62C10248AL
美國ISSI公司近年來，對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)
2020-04-27
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Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF
串行MRAM實現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。
2020-04-26
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美光低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡(luò)
美光LPDDR5 DRAM內(nèi)存能滿足多個行業(yè)對內(nèi)存更高性能和更低功耗日益增長的需求，這不僅僅局限于移動行業(yè)，還包括汽車、個人電腦以及為5G和AI應(yīng)用打造的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。美光LPDDR5 DRAM內(nèi)存具備以下功
2020-04-24
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新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比
在非易失性MRAM存儲器方面，Everspin MRAM已經(jīng)有產(chǎn)品應(yīng)用于航空航天等特定領(lǐng)域，并于2019年開始與格芯合作，試生產(chǎn)28nm制程的1Gb STT-MRAM產(chǎn)品。
2020-04-23
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Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲器
MR4A16B是一款3 3V、并行I O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀 寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。
2020-04-22
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