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采用分級(jí)字線(xiàn)結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫(xiě)速度及降低電路動(dòng)態(tài)功耗
采用分級(jí)字線(xiàn)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器將整個(gè)存儲(chǔ)陣列劃分為若干個(gè)相同的子陣列。與非分級(jí)字線(xiàn)結(jié)構(gòu)相比，它需要采用多級(jí)的字線(xiàn)譯碼才能完成對(duì)存儲(chǔ)單元的
2020-05-18
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SRAM中的功耗來(lái)源
在CMOS電路中，功耗的來(lái)源主要有兩個(gè)方面（1）靜態(tài)功耗，即反向漏電流造成的功耗；（2）動(dòng)態(tài)功耗，由電路作開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)進(jìn)入過(guò)渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述
最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用
2020-05-14
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位靜態(tài)RAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當(dāng)
2020-05-13
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SRAM的發(fā)展概況及趨勢(shì)
存儲(chǔ)器作為通用器件，可廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代航天武器系統(tǒng)的控制、制導(dǎo)導(dǎo)航、數(shù)據(jù)采集與傳輸、圖象處理、通訊、測(cè)控等不同領(lǐng)域，完全取代國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品，其應(yīng)用前景十分廣闊。
2020-05-12
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SRAM靈敏放大器的類(lèi)型及設(shè)計(jì)思想
為了在設(shè)計(jì)中既能提高存儲(chǔ)單元的讀取速度，又能增大信號(hào)的擺幅，在設(shè)計(jì)中，我們采用了差分與交叉耦合級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。
2020-05-11
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