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鐵電RAM與串行SRAM替換時(shí)需要考慮的因素
FRAM與SRAM互相代替時(shí)，需要提及一些細(xì)微之處。本篇文章介紹這些細(xì)微差別，并重點(diǎn)介紹可以采取的緩解措施。當(dāng)采取這些預(yù)防措施時(shí)，重要的是要了解所使用的FRAM版本。
2020-10-15
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疫情之下，加速國(guó)產(chǎn)MCU替代
目前國(guó)產(chǎn)MCU正在逐步實(shí)現(xiàn)中低端領(lǐng)域的進(jìn)口替代，相對(duì)于以往基本都是國(guó)外品牌的現(xiàn)象，如今包括在消費(fèi)電子、工業(yè)控制等應(yīng)用市場(chǎng)已出現(xiàn)了不少國(guó)產(chǎn)MCU身影。
2020-10-13
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選擇MRAM最佳測(cè)試算法
嵌入式內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的，包括最大程度地?cái)U(kuò)大故障覆蓋范圍以防止測(cè)試失敗以及使用備用元件來(lái)最大程度地提高制造良率。隨著
2020-10-10
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FRAM低功耗設(shè)計(jì)使寫非易失性數(shù)據(jù)操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1 3，而FRAM的待機(jī) 睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機(jī) 睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對(duì)功耗產(chǎn)生巨
2020-09-30
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Everspin MRAM替換FRAM
可靠性考慮比較FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲(chǔ)器件，這些材料具有一個(gè)固有的電偶極子，該偶極子在外部電場(chǎng)的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM
2020-09-28
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為高性能FPGA平臺(tái)選擇合適的存儲(chǔ)器
從純技術(shù)角度考慮兩個(gè)最廣泛使用的DRAM選項(xiàng)-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過(guò)去10年中沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的發(fā)展，約為
2020-09-25
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