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選擇MRAM最佳測試算法

來源:宇芯有限公司 日期:2020-10-10 10:49:39

嵌入式內(nèi)存測試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的,包括最大程度地?cái)U(kuò)大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著有前途的非易失性存儲器架構(gòu)的可用性不斷增加,以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器,新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力,同時(shí)考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案,設(shè)計(jì)人員需要考慮一些因素,例如在生產(chǎn)測試期間進(jìn)行修整的特殊需求,
 
除了在傳統(tǒng)存儲器中觀察到的常規(guī)卡死,過渡,耦合,地址解碼器和數(shù)百種其他故障類型之外,測試嵌入式STT-MRAM存儲器IP還需要考慮特定于體系結(jié)構(gòu)的故障,例如編程/擦除掩碼和扇區(qū)/芯片清除故障。因此,需要通過擴(kuò)展的基于March的算法類來檢測嵌入式STT-MRAM特定的故障,該算法具有用戶靈活性,可以指定多個(gè)背景圖案(例如,實(shí)心,棋盤格)以及各種尋址模式(例如,快速列,快速行)來確保最高的測試覆蓋率。由于嵌入式MRAM宏的大小很大,因此BIST引擎中需要使用具有較低復(fù)雜度的快速算法,以具有可接受的ATE生產(chǎn)/制造診斷測試時(shí)間。
 
對于汽車環(huán)境,SoC設(shè)計(jì)人員將需要具有靈活性,以在現(xiàn)場運(yùn)行其他可自定義算法,以匹配系統(tǒng)操作約束。表1顯示了如何在復(fù)雜的測試階段中需要執(zhí)行不同復(fù)雜程度的不同算法以匹配系統(tǒng)約束的示例。

表1:選擇存儲器測試算法的能力對于汽車等應(yīng)用很重要
 

內(nèi)存測試算法 SoC測試階段 并行內(nèi)存測試方案中的時(shí)鐘周期數(shù)(運(yùn)行時(shí)) 串行內(nèi)存測試方案中的時(shí)鐘周期數(shù)(運(yùn)行時(shí))
測試算法1(低復(fù)雜度-8N) 任務(wù)模式 33,000 (0.066 ms) 80,000 (0.16 ms)
測試算法2(中等復(fù)雜度-16N) 開機(jī)/關(guān)機(jī) 57,000 (0.114 ms) 123,000 (0.246 ms)
測試算法3(高復(fù)雜度-55N) ATE生產(chǎn)/制造測試 193,000 (0.386 ms) 383,000 (0.766 ms)

 
*資料來源ITC :汽車SoC中用于嵌入式內(nèi)存和IP的高級功能安全機(jī)制
 
因此,BIST引擎必須支持?jǐn)U展的算法類別,以測試特定于MRAM的故障類型,提供靈活性以運(yùn)行不同的背景模式和尋址模式,并允許用戶配置為在SoC的多個(gè)測試階段中執(zhí)行不同的算法。
 

關(guān)鍵詞:MRAM 
 
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