ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS＃為高電平（取消選擇）時，器件將進(jìn)入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。通過使用芯片使能和OutputEnable輸入，可以輕松擴展存儲器。激活的LOWWriteEnable（WE＃）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB＃）和低字節(jié)（LB＃）。
 
IS61WV204816ALL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP（TYPEI）和48引腳微型BGA（6mmx8mm）封裝。ISSI代理宇芯電子支持產(chǎn)品應(yīng)用解決方案及例程等技術(shù)支持。
 
引腳配置

 
IS61WV204816AL特征
•高速訪問時間：10ns，12ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳，可增強抗噪能力
•使用CS＃和OE＃輕松進(jìn)行內(nèi)存擴展
•TTL兼容的輸入和輸出
•單電源
–1.65V-2.2VVDD（IS61WV204816ALL）
–2.4V-3.6VVDD（IS61WV204816BLL）
•可用軟件包：
-48球迷你BGA（6mmx8mm）
-48引腳TSOP（I型）
•工業(yè)和汽車溫度支持
•可用無鉛
•數(shù)據(jù)控制的高低字節(jié)
 
功能說明
sram是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機訪問。SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
 
待機模式
取消選擇時（CS＃高），設(shè)備進(jìn)入待機模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
所選芯片（CS＃）和寫入使能（WE＃）輸入為低電平時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE＃為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。UB＃和LB＃啟用字節(jié)寫入功能。通過使LB＃為低電平，來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳上指定的位置。且UB＃為低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時（CS＃為低電平），寫使能（WE＃）輸入為高電平時，讀操作出現(xiàn)問題。當(dāng)OE＃為LOW時，輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進(jìn)行任何輸入。UB＃和LB＃啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LB＃LOW，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O0-7上。且UB＃為LOW時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。
 
在READ模式下，可以通過將OE＃拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在這種模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ進(jìn)行操作，但I(xiàn)/O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。
 
上電初始化
該器件包括用于啟動上電初始化過程的片上電壓傳感器。
當(dāng)VDD達(dá)到穩(wěn)定水平時，器件需要150us的tPU（上電時間）來完成其自初始化過程。
 
初始化完成后，設(shè)備即可正常運行。

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