將FRAM存儲(chǔ)器芯片集成到汽車(chē)EDR設(shè)計(jì)中
來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2020-08-11 10:41:55
本篇文章宇芯電子主要介紹用
FRAM替換閃存或EEPROM的情況,以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車(chē)EDR設(shè)計(jì)中將需要滿足的要求。
EDR要求:高速和高可靠性
車(chē)輛EDR的基本功能要求是捕獲所有指定的數(shù)據(jù)輸入,從可見(jiàn)光和紅外攝像頭,雷達(dá)和LiDAR傳感器等傳感設(shè)備以及油門(mén),制動(dòng)踏板和方向盤(pán)等輸入設(shè)備捕獲。它應(yīng)該在安全事件(例如與另一輛車(chē)發(fā)生碰撞)之前和期間捕獲這些輸入,從而使事故調(diào)查人員在發(fā)生事故之前能全面了解車(chē)輛的運(yùn)動(dòng)情況。這種數(shù)據(jù)捕獲功能需要具有故障安全性,以確保在任何情況下都可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù),包括車(chē)輛電源系統(tǒng)故障。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能還應(yīng)該能夠承受對(duì)其他車(chē)輛子系統(tǒng)甚至EDR本身的機(jī)械損壞。
傳統(tǒng)EDR設(shè)計(jì)中的不良解決方法
為了滿足EDR操作的嚴(yán)格規(guī)范,迄今為止,汽車(chē)制造商已選擇采用基于熟悉的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的架構(gòu),該架構(gòu)可提供非常低的單位成本:EEPROM或閃存。但是,這兩種技術(shù)在操作方式上都有許多弊端:對(duì)于EDR,最重要的是它們的寫(xiě)入速度非常慢,并且耐久性(在磨損之前可以執(zhí)行的編程/擦除周期數(shù))很低。這意味著需要通過(guò)各種變通辦法來(lái)支持基于EEPROM或閃存的EDR實(shí)現(xiàn),這些變通辦法涉及在主機(jī)片上系統(tǒng)(SoC)或微控制器中運(yùn)行的其他組件和復(fù)雜軟件。
這些解決方法通常包括:
•
SRAM或DRAM緩沖區(qū)。這些易失性存儲(chǔ)器技術(shù)提供了比閃存或EEPROM快得多的寫(xiě)入速度,因此它們縮小了SoC處的傳感器數(shù)據(jù)處理與其在非易失性存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)之間的時(shí)間間隔。
•電容器提供緊急備用電源,以為緩沖存儲(chǔ)器和閃存或EEPROM提供電源。這樣可以避免發(fā)生崩潰時(shí)系統(tǒng)電源故障的風(fēng)險(xiǎn)。
•SoC中的損耗均衡軟件。這些復(fù)雜算法的功能是將寫(xiě)操作的物理位置平均分布在EEPROM或閃存設(shè)備中的所有存儲(chǔ)單元之間。
這些變通辦法是非常不希望的。提供額外的組件會(huì)增加系統(tǒng)的物料清單(BOM)成本。額外的組件數(shù)量也增加了電路板組裝的復(fù)雜性,增加了系統(tǒng)尺寸和重量。
當(dāng)車(chē)輛的單個(gè)EDR位于引擎蓋下方或儀表板后面時(shí),這種額外的尺寸并不是無(wú)法克服的缺點(diǎn)。但是在新一代的自動(dòng)駕駛汽車(chē)中,EDR可能安裝在靠近傳感器設(shè)備的地方,例如,在后視鏡組件中或在攝像頭附近的ADAS系統(tǒng)中。在這里,大小是非常令人關(guān)注的。
解決方法還增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜性和設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。損耗均衡軟件可以延長(zhǎng)
EEPROM或閃存設(shè)備的使用壽命,但是只能通過(guò)估算才能知道在車(chē)輛使用壽命中可能發(fā)生的編程/擦除周期數(shù)。因此,設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)必須在過(guò)度指定的內(nèi)存容量之間進(jìn)行選擇,以減少每兆字節(jié)可用容量的編程/擦除周期,但會(huì)增加BOM成本,或者針對(duì)成本進(jìn)行優(yōu)化,但存在內(nèi)存過(guò)早損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
類(lèi)似的折衷適用于用作備用電源的電容器:它們的壽命有限,并且在高溫下老化更快。同樣,較低風(fēng)險(xiǎn)的選擇是過(guò)度配置電容,以允許某些電容器單元過(guò)早失效,但這進(jìn)一步增加了BOM預(yù)算和空間。
關(guān)鍵詞:FRAM
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