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ISSI代理低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL
來源：宇芯有限公司 日期：2020-07-21 10:50:26
ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。ISSI代理宇芯電子支持提供技術(shù)支持及產(chǎn)品解決方案。
主要特點
•高速訪問時間：45ns，55ns。
•CMOS低功耗操作
–25µA（典型值）CMOS待機(jī)
•CMOS以實現(xiàn)最佳速度和功率以及TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V?1.98VVDD
（IS62/65WV102416DALL）
–2.2V?3.6VVDD
（IS62/65WV102416DBLL）
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•工業(yè)和汽車溫度支持
48引腳TSOP-I
功能說明
sram是隨機(jī)存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機(jī)訪問。SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
待機(jī)模式
取消選擇時，設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
寫模式
選擇芯片時且寫使能輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW，來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
讀取模式
選擇芯片時，寫使能（WE）輸入為高，則發(fā)生讀操作問題。為低時，輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進(jìn)行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O0-7上。處于低電平時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。
在讀取模式下，可以通過拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I(xiàn)/O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于設(shè)備處于讀取模式，因此使用有功電流.
框圖
ISSI低功耗LPSRAM
相關(guān)文章：外擴(kuò)SRAM ISSI代理商IS62WV102416EBLL
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
主要特點
•高速訪問時間：45ns，55ns。
•CMOS低功耗操作
–25µA（典型值）CMOS待機(jī)
•CMOS以實現(xiàn)最佳速度和功率以及TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V?1.98VVDD
（IS62/65WV102416DALL）
–2.2V?3.6VVDD
（IS62/65WV102416DBLL）
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•工業(yè)和汽車溫度支持
48引腳TSOP-I
功能說明
sram是隨機(jī)存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機(jī)訪問。SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
待機(jī)模式
取消選擇時，設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
寫模式
選擇芯片時且寫使能輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW，來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
讀取模式
選擇芯片時，寫使能（WE）輸入為高，則發(fā)生讀操作問題。為低時，輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進(jìn)行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O0-7上。處于低電平時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。
在讀取模式下，可以通過拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I(xiàn)/O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于設(shè)備處于讀取模式，因此使用有功電流.
框圖
ISSI低功耗LPSRAM
| 型號 | 容量 | 位寬 | 電壓 | 速度（ns） | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV102416ALL/BLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.65-3.6V | 25,35 | TSOP1(48),BGA(48) |
| IS62WV102416DALL/BLL | 16Mb | 1Mx16/2Mx8 | 1.65-3.6V | 35,45,55 | TSOP1(48) |
| IS62WV10248EBLL | 8Mb | 1Mx8 | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| IS62WV10248DALL/BLL | 8Mb | 1Mx8 | 1.65-3.6V | 35,45,55 | sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) |
| IS62WV102416EALL/BLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.65-3.6V | 35,45,55 | BGA(48) |
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