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工業(yè)計算內(nèi)存模塊專用MRAM存儲器-MR4A16B
來源：宇芯有限公司 日期：2020-07-17 10:53:21
并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預(yù)計它將能解決包括計算機(jī)或手機(jī)啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等問題，明顯改變消費(fèi)者使用電子沒備的方式。
研華PCM-23系列內(nèi)存模塊是用于mPCIe接口的工業(yè)級內(nèi)存模塊，能夠通過具有不同功能的iDoor技術(shù)通過連接器擴(kuò)展對內(nèi)存的訪問。
PCM-23內(nèi)存模塊是可選的擴(kuò)展內(nèi)存，用于在事件日志中存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)。斷電時，關(guān)鍵數(shù)據(jù)必須是非易失性的。為了滿足非易失性存儲器的需求，研華選擇了Everspin MR4A16B 16Mb MRAM存儲器，因為它提供了2MB的非易失性，可靠的數(shù)據(jù)存儲，并具有20年的數(shù)據(jù)保留時間。全部沒有電池或外部電容器。
Everspin MR4A16B由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性對于這款并行MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。everspin代理商宇芯電子支持技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品解決方案。
Everspin 并口MRAM MR4A16B系列
相關(guān)文章：非易失性存儲器MRAM的兩大優(yōu)點(diǎn)
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
研華PCM-23系列內(nèi)存模塊是用于mPCIe接口的工業(yè)級內(nèi)存模塊，能夠通過具有不同功能的iDoor技術(shù)通過連接器擴(kuò)展對內(nèi)存的訪問。
PCM-23內(nèi)存模塊是可選的擴(kuò)展內(nèi)存，用于在事件日志中存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)。斷電時，關(guān)鍵數(shù)據(jù)必須是非易失性的。為了滿足非易失性存儲器的需求，研華選擇了Everspin MR4A16B 16Mb MRAM存儲器，因為它提供了2MB的非易失性，可靠的數(shù)據(jù)存儲，并具有20年的數(shù)據(jù)保留時間。全部沒有電池或外部電容器。
Everspin MR4A16B由1,048,576字 x 16位構(gòu)成。Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性對于這款并行MRAM來說，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。everspin代理商宇芯電子支持技術(shù)指導(dǎo)及產(chǎn)品解決方案。
Everspin 并口MRAM MR4A16B系列
| 型號 | 容量 | 位寬 | 封裝 | 電壓 | 溫度 | MOQ(pcs) /Tray | MOQ(pcs) /T&R |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR4A16BCMA35 | 4Mb | 1Mx16 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 480 | 2500 |
| MR4A16BMA35 | 4Mb | 1Mx16 | 48-BGA | 3.3V | 0℃to +70℃ | 480 | 2500 |
| MR4A16BCYS35 | 4Mb | 1Mx16 | 54-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 216 | 1000 |
| MR4A16BYS35 | 4Mb | 1Mx16 | 54-TSOP | 3.3V | 0℃to +70℃ | 216 | 1000 |
關(guān)鍵詞： MRAM MR4A16B
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