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三星發(fā)布512GB閃存芯片
隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，手機(jī)的存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)人們來(lái)說(shuō)越來(lái)越重要，但之前，手機(jī)的存儲(chǔ)技術(shù)再好也比不上電腦。據(jù)報(bào)道，三星推出了512GB專用芯片，主要是為移動(dòng)設(shè)備而開(kāi)發(fā)，這也就說(shuō)明在不久
2017-12-15
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3D NAND明年開(kāi)始量產(chǎn)
固態(tài)硬盤終于要降價(jià)了，多年供不應(yīng)求的局面將會(huì)得到改善，預(yù)計(jì)明年年初為3D NAND開(kāi)始走向正軌。
2017-12-14
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三星量產(chǎn)第2代10nm FinFET
三星近日宣布開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)(10LPP)為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品，也預(yù)計(jì)將在2018年第一季問(wèn)市。
2017-12-12
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DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布
據(jù)報(bào)道，Rambus首次公布HBM3 DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被業(yè)界認(rèn)為是極限，因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不能夠在保證性能的同時(shí)抑制漏電。所以工業(yè)界用砷
2017-12-08
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中國(guó)加快入局智能芯片領(lǐng)域
在今年8月份，中國(guó)國(guó)家開(kāi)發(fā)投資公司旗下一只投資基金領(lǐng)投了人工智能芯片創(chuàng)業(yè)公司寒武紀(jì)科技，金額達(dá)1億美元。寒武紀(jì)科技11月6日時(shí)發(fā)布了兩款服務(wù)器芯片，能在部分人工智能項(xiàng)目中替代英
2017-12-07
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人工智能被定為國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展方向
從2015年開(kāi)始中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)有了爆發(fā)性的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2018年，行業(yè)產(chǎn)值將會(huì)突破6200億元人民幣，這其中當(dāng)然少不了政府政策的大力支持。而存儲(chǔ)器相關(guān)、SiC GaN 等化合物半導(dǎo)體、以及IoT 5G AI
2017-12-07
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