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工業(yè)計(jì)算應(yīng)用中的MRAM
對于傳統(tǒng)上依靠電池供電的SRAM的應(yīng)用，MRAM提供了一種較好的解決方案，因?yàn)樗哂邢嗤目焖僮x 寫速度和無限的耐用性，可以在沒有電源的情況下保留20年以上的數(shù)據(jù)，并具有出色的高溫性能
2020-01-03
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多數(shù)業(yè)者看好未來Nand閃存市場前景
根據(jù)集邦咨詢發(fā)布數(shù)據(jù)，第二季度的Nand閃存合約價(jià)跌幅仍相當(dāng)顯著，第三季度仍將維持跌勢。多數(shù)業(yè)者卻看好未來存儲(chǔ)市場前景。
2019-12-31
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Cortex-M3內(nèi)核跟蹤調(diào)試模式
Cortex-M3內(nèi)核除了支持JTAG調(diào)試外， 還提供了專門的指令追蹤單元(ITM) JTAG 是一種國際標(biāo)準(zhǔn)測試協(xié)議(IEEE 1149 1 兼容)， 主要用于芯片的內(nèi)部測試。
2019-12-27
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SRAM對技術(shù)發(fā)展的影響
SRAM是采用任何CMOS工藝“免費(fèi)提供”的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2019-12-25
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Cypress非易失性SRAM技術(shù)
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。
2019-12-23
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全球兩大半導(dǎo)體發(fā)表MRAM制造工藝新技術(shù)
但隨著制造成本降低以及其他內(nèi)存技術(shù)面對微縮挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術(shù)進(jìn)展，SRAM內(nèi)存單元的尺寸并不會(huì)隨著其后的先進(jìn)工藝而縮小，因此MRAM將會(huì)變得越來
2019-12-19
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