鐵電存儲器FRAM的優(yōu)劣勢
來源: 日期:2021-05-10 10:35:45
FRAM憑借高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面的優(yōu)勢,被視為替代傳統(tǒng)EEPROM和FLASH的產品。FRAM產品的主要廠商包括英飛凌、日本富士通半導體和其他公司,這幾家公司代表了當今世界最先進的FRAM技術。FRAM在半導體市場上已經得到了商業(yè)驗證,F(xiàn)RAM存儲器產品已成功應用在汽車中。
1. FRAM的優(yōu)勢:
FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點,與EEPROM、FLASH相比,F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長,F(xiàn)RAM已經應用于IC卡和MCU中,預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點,符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發(fā)。
2. FRAM的劣勢:
FRAM的制造成本高,價格比EEPROM、FLASH更加昂貴,儲存的空間更小。
由于目前EEPROM和FLASH經過多年的技術積淀和積累,無論是技術還是市場的認可度都非常高,且價格低廉。FRAM作為新型存儲器之一,F(xiàn)RAM的技術發(fā)展的路徑尚不確定,未來替代EEPROM會經歷一個漫長的過程,將來也可能是其他新型存儲器,如相變存儲器PCM、磁存儲器
MRAM、電阻存儲器ReRAM、碳納米管存儲器NRAM取代現(xiàn)有的存儲器。
雖然目前富士通半導體等公司正在大力推廣FRAM,但是傳統(tǒng)的存儲器如EEPROM和FLASH依舊會保持很大的市場份額,未來EEPROM、FLASH的技術迭代也會提升其各方面的性能,F(xiàn)RAM與EEPROM、FLASH會保持長期共存的局面,不會短時間內出現(xiàn)FRAM徹底替代EEPROM、
閃存Flash的情況。
建議改類型的項目方提供下游客戶的產品中必須用到FRAM的情形,以及其他可替代的存儲器,并說明與日本富士通半導體和英飛凌的FRAM的產品性能優(yōu)勢或成本對比,是否已經大規(guī)模量產以及良率如何,由此來綜合評估該類型項目的FRAM產品的技術壁壘和未來市場銷售情況。
關鍵詞:FRAM
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