普通的存儲器器件為單端口，也就是數(shù)據(jù)的輸入輸出只利用一個端口，設(shè)計了兩個輸入輸出端口的就是雙端口sram。雖然還具有擴展系列的4端口sram，但雙端口sram已經(jīng)非常不錯了。雙端口sram經(jīng)常應(yīng)用于cpu與其周邊控制器等類似需要直接訪問存儲器或者需要隨機訪問緩沖器之類的器件之間進行通信的情況。下面專注于代理銷售sram芯片,PSRAM等存儲芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問題。

從存儲單元來看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個存取管（見圖1），但要實現(xiàn)兩個端口對存儲單元的獨立讀寫，還要對新增的端口復(fù)制一套單端口SRAM的讀寫外圍電路。然而這樣雖然增強了存儲器的讀寫能力，但卻是以降低存儲單元的穩(wěn)定性為代價的，具體表現(xiàn)為雙端口SRAM的兩個端口進行同行存取時發(fā)生的讀寫干擾（Read/WriteDisturbance）問題；并且當(dāng)兩個端口進行異步存取時，讀寫干擾會表現(xiàn)出一定的規(guī)律性；對讀寫干擾問題目前尚未找到完美的解決方法，現(xiàn)有的各個方法都具有一定的側(cè)重方向。
     
讀干擾的原理分析
 
如圖2（a）所示，當(dāng)雙端口SRAM的兩個端口對不同的行進行操作時，只有連接在WLAn-1和WLBn上的存取管才會被打開，即一個雙端口SRAM存儲單元只有兩個存取管被打開，所以此時雙端口SRAM單元可以像單端口SRAM單元一樣工作。但是如果兩個端口對同一行進行操作時，如圖2（b），由于半選擇問題該行所有存儲單元的所有存取管都將被打開。當(dāng)一個進行讀操作的存儲單元的所有存取管都被打開時，和單端口SRAM讀操作時存取管降低RSNM同理，該單元的RSNM將有更大幅度的下降，這稱為讀干擾；此外，偽讀取操作對執(zhí)行寫操作的存儲單元的數(shù)據(jù)寫入也會造成困難，這稱為寫干擾?，F(xiàn)在假設(shè)A端口在進行讀操作，B端口在進行寫操作，下面分別分析讀干擾。

   
讀干擾
 
圖3是圖2（b）中左邊進行讀操作的存儲單元的具體情形，可以看到，B端口的寫操作使WLB為高電平，此高電平對該單元產(chǎn)生了偽讀取操作。與單端口SRAM的讀取操作相比，下拉管N1將同時對BLA和BLB放電，這將導(dǎo)致兩個結(jié)果：第一，對BLA的放電電流減小，造成讀取時間增加；第二，D點電壓將會比單端口SRAM中讀取操作升高得更高，從而進一步降低RSNM，甚至直接使單元翻轉(zhuǎn)。對于后者可以這樣簡單地分析：N3和N5同時打開后，二者并聯(lián)，若將其看成整體，則存取管的寬度將增加一倍，其“電阻”減半，而N1的電阻不變，故在放電通路上D點的分壓變得更高；對于前者，雖然放電通路的電阻減小，N1的下拉電流增大，但其還沒有增大到原來的兩倍（其寬度加倍電流才會加倍），而N3和N5的電流相等，故N3分得的電流較之單端口SRAM將減小。


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