當前MRAM市場以及專用MRAM設備測試的重要性
來源:宇芯有限公司 日期:2020-07-10 10:35:02
Everspin專注于制造
MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。為云存儲,能源,工業(yè),汽車和運輸市場提供了上億只MRAM和STT-MRAM存儲器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術支持和產品解決方案。
MRAM可能是當今最有前途的下一代非易失性存儲技術。Toggle MRAM和
STT-MRAM已經進入市場,在許多應用中獲得了市場份額。下一代MRAM技術(例如SOT-MRAM)甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應用。
圖1 內存制造過程
由于器件架構相對復雜,因此
Everspin MRAM的生產過程分為多個階段,在CMOS背板的頂部制作了一個磁性單元(前板)。器件的測量和表征非常重要,依賴于測量工具的MRAM存儲器的生產專門用于MRAM和STT-MRAM測量。
Integral Solutions Inc(ISI)生產用于MRAM開發(fā)和生產的準靜態(tài)測試儀。ISI是第一家為MRAM行業(yè)制造晶圓級測試儀的公司,并且可能擁有最大的STT-MRAM晶圓級測試儀安裝基礎。該公司在HDD磁頭行業(yè)的長期經驗為他們帶來了MTJ測試經驗,這些經驗帶給了新興的MRAM測試行業(yè)。
Everspin串口MRAM
型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /托盤 |
MOQ /卷帶 |
MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
關鍵詞:MRAM Everspin MRAM
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