各種異步SRAM比較
來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2020-03-06 10:04:14
那些不具備時(shí)鐘輸入的sram便是異步型的。在這些器件中,讀操作和寫(xiě)操作將在器件接收到指令之后立即被啟動(dòng)。采用異步型sram最大的優(yōu)點(diǎn)之一是它們擁有長(zhǎng)達(dá)幾十年的使用歷史并已為人們所充分了解。由于異步型sram已經(jīng)面市很久了,因此許多標(biāo)準(zhǔn)處理器都包含了業(yè)已配備異步型sram接口的存儲(chǔ)控制器,從而最大限度地減少了所需的設(shè)計(jì)工作量。
異步SRAM的典型存取時(shí)間為8ns(或更長(zhǎng))。因此,它們一般應(yīng)用于時(shí)鐘頻率為100mhz(或更低)的系統(tǒng)中。
異步型sram可被進(jìn)一步劃分為兩種主要類(lèi)別:即快速異步型sram和低功耗異步型sram(mobltm)。
1:快速異步型sram存取時(shí)間為35ns(或更短)的異步型
SRAM可被歸類(lèi)為“快速”異步型sram。這些存儲(chǔ)器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中,且功耗較高(1/2w或更高是司空見(jiàn)慣的)。其典型應(yīng)用包括老式pcl2高速緩沖存儲(chǔ)器、高速暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲(chǔ)器。
2:mobltm低功耗異步型sram有些應(yīng)用(例如移動(dòng)電話)對(duì)功耗的關(guān)注程度要超過(guò)對(duì)性能的關(guān)注程度。因此,制造商(比如賽普拉斯公司)推出了功耗極低的sram系列。賽普拉斯的mobl(意指“更長(zhǎng)的電池使用壽命”)低功耗異步型sram產(chǎn)品庫(kù)匯集了多款典型存取時(shí)間約為40ns(或更長(zhǎng))并專為實(shí)現(xiàn)低功耗而優(yōu)化的器件。典型待機(jī)功耗可低至10μw(或更低),而運(yùn)行功耗則可低至30mw(或更低)。這些器件的存儲(chǔ)密度各異,從64kb到16mb一應(yīng)俱全。
VTI異步SRAM型號(hào)表
型號(hào) |
容量 |
位寬 |
溫度 |
電壓(V) |
速度(ns) |
封裝 |
VTI501LF08WM |
1Mbit |
128K x 8 |
Industrial |
1.8 |
8/10/12 |
32sTSOP1 |
VTI501LF08NM |
1Mbit |
128K x 8 |
Industrial |
1.8 |
8/10/12 |
36BGA |
VTI501NF08WM |
1Mbit |
128K x 8 |
Industrial |
3.3 |
8/10 |
32sTSOP1 |
VTI501NF08NM |
1Mbit |
128K x 8 |
Industrial |
3.3 |
8/10 |
36BGA |
VTI501HF08WM |
1Mbit |
128K x 8 |
Industrial |
5 |
10 |
32sTSOP1 |
VTI501HF08NM |
1Mbit |
128K x 8 |
Industrial |
5 |
10 |
36BGA |
VTI501LF16VM |
1Mbit |
64K x 16 |
Industrial |
1.8 |
8/10/12 |
44TSOP2 |
VTI501LF16LM |
1Mbit |
64K x 16 |
Industrial |
1.8 |
8/10/12 |
48BGA |
VTI501NF16VM |
1Mbit |
64K x 16 |
Industrial |
3.3 |
8/10 |
44TSOP2 |
VTI501NF16LM |
1Mbit |
64K x 16 |
Industrial |
3.3 |
8/10 |
48BGA |
VTI501HF16VM |
1Mbit |
64K x 16 |
Industrial |
5 |
10 |
44TSOP2 |
VTI501HF16LM |
1Mbit |
64K x 16 |
Industrial |
5 |
10 |
48BGA |
關(guān)鍵詞:異步SRAM
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