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長江存儲要用5年追趕世界水平

來源:宇芯有限公司 日期:2018-05-07 16:45:39

國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺近日正式進場安裝,這象征著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入到量產(chǎn)準備階段。據(jù)了解,設(shè)備搬入和調(diào)試需要3個月左右的時間,然后就進行小規(guī)模試產(chǎn),如果一切順利的話,今年四季度,中國第一批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片有望實現(xiàn)量產(chǎn)。
 
9個月建設(shè)工廠,7個月機臺搬入,建設(shè)節(jié)點不斷提前完成。按照計劃,今年四季度,設(shè)備有望點亮投產(chǎn)。紫光集團負責人透露,今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAND閃存芯片,就在4月9日,這顆歷時2年、耗資10億美元、由1000人團隊自主研發(fā)的芯片,獲得了中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。這是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,將有望使中國擠進全球存儲芯片第一梯隊,強力提升“中國芯”的國際市場地位。
 
目前,全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中,屬于相對壟斷市場。  根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,2017年全球閃存芯片銷量超過500億美元,同比增加45%,預計2020年銷量超過1000億美元。中國市場進口超過半數(shù),國產(chǎn)的存儲芯片基本上是空白。隨著全球市場需求量的不斷增加,近3年來,全球存儲芯片的價格不斷上漲。
 
紫光集團表示,“前五年追趕技術(shù),后五年增加產(chǎn)量”。目前長江存儲完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發(fā),也將投入量產(chǎn),但產(chǎn)量和成本還不足以影響市場。“后發(fā)優(yōu)勢是不會走太多冤枉路,速度更快一點,但別人也在跑,追上去仍要花力氣、花時間”,高啟全說,64層閃存產(chǎn)品研發(fā)也在迅速進行,力爭2019年底實現(xiàn)產(chǎn)能爬坡量產(chǎn),這樣,就能把與全球領(lǐng)先大廠的差距縮短在2年以內(nèi),“希望用5年左右接近世界先進水平”。



關(guān)鍵詞:NAND閃存

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