Everspin型號(hào)MR256A08BCYS35是一個(gè)位寬32Kx8的MRAM存儲(chǔ)芯片。提供SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過(guò)20年的時(shí)間里始終是非易失性的。數(shù)據(jù)通過(guò)低壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護(hù)，以防止電壓超出規(guī)格的寫(xiě)入。該產(chǎn)品是必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。
 
MR256A08BCYS35采用小尺寸44引腳塑料小外形TSOP2型封裝，所有封裝尺寸都與類(lèi)似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70℃）和工業(yè)溫度（-40至+85℃）范圍選項(xiàng)。
 
特征
•3.3伏電源
•35ns的快速讀/寫(xiě)周期
•SRAM兼容時(shí)序
•原生非易失性
•無(wú)限讀寫(xiě)耐力
•數(shù)據(jù)在溫度下超過(guò)20年始終非易失性
•商業(yè)和工業(yè)溫度
•所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度等級(jí)
•符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的TSOP2和BGA封裝
 
MR256A08BCYS35存儲(chǔ)器可以取代系統(tǒng)中的FLASH、SRAM、EEPROM和MRAM，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單、更高效的設(shè)計(jì)，通過(guò)更換電池供電的SRAM提高可靠性。
 
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。

關(guān)鍵詞：MRAM Everspin MRAM MR256A08BCYS35 宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專(zhuān)注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線(xiàn)為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶(hù)提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專(zhuān)業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。