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研究人員開發(fā)一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu)

來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-17 09:54:17

MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè),軍事及太空應(yīng)用,這些對于MRAM存儲芯片開發(fā)人員來說是重要的部分。


東京工業(yè)大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)依賴于單向自旋霍爾磁阻(USMR)。新的單元結(jié)構(gòu)只有兩層。這可能導(dǎo)致成本更低的MRAM器件。

自旋霍爾效應(yīng)導(dǎo)致電子在材料的側(cè)面以一定的自旋積累。通過將拓?fù)浣^緣體與鐵磁半導(dǎo)體相結(jié)合,研究人員設(shè)法制造出具有巨型USMR的器件。

MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術(shù)仍遠(yuǎn)未實現(xiàn)其潛力,但是截至2020年初,市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片,并且公司正在將這種技術(shù)用于許多應(yīng)用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設(shè)計了多款校準(zhǔn)方案,都在量產(chǎn)供貨中,獲得了大量用戶的認(rèn)可。


Everspin MRAM存儲芯片
型號 容量 位寬 電壓(V) 溫度 封裝 MOQ /卷帶
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 4,000
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000



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