研究人員開發(fā)一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu)
來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-17 09:54:17
MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè),軍事及太空應(yīng)用,這些對于MRAM存儲芯片開發(fā)人員來說是重要的部分。
東京工業(yè)大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種新的
MRAM單元結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)依賴于單向自旋霍爾磁阻(USMR)。新的單元結(jié)構(gòu)只有兩層。這可能導(dǎo)致成本更低的MRAM器件。
自旋霍爾效應(yīng)導(dǎo)致電子在材料的側(cè)面以一定的自旋積累。通過將拓?fù)浣^緣體與鐵磁半導(dǎo)體相結(jié)合,研究人員設(shè)法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術(shù)仍遠(yuǎn)未實現(xiàn)其潛力,但是截至2020年初,市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片,并且公司正在將這種技術(shù)用于許多應(yīng)用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設(shè)計了多款校準(zhǔn)方案,都在量產(chǎn)供貨中,獲得了大量用戶的認(rèn)可。
Everspin MRAM存儲芯片
型號 |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /卷帶 |
MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
關(guān)鍵詞:everspin MRAM
宇芯有限公司自成立以來,我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品,是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。