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三星1z納米EUV制程DRAM規(guī)格曝光
韓國(guó)三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上，并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights
2021-02-23
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記錄數(shù)據(jù)無(wú)限期保留是MRAM理想的選擇
數(shù)據(jù)記錄、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)、邊緣計(jì)算設(shè)備中的機(jī)器學(xué)習(xí) 人工智能以及醫(yī)院中的RFID標(biāo)簽都可以用到MRAM。數(shù)據(jù)記錄器需要多兆位的非易失性存儲(chǔ)器來(lái)
2021-02-20
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NAND Flash wafer第一季合約價(jià)將止跌回穩(wěn)
近兩周以來(lái)，主要由于筆電需求仍持續(xù)增加，PC OEM對(duì)供應(yīng)商進(jìn)一步積極要求加單client SSD，造成NandFlash需求同步增溫。除此之外上游供應(yīng)
2021-02-07
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Everspin MRAM非易失性存儲(chǔ)器的五大優(yōu)勢(shì)
說(shuō)了這么多MRAM在結(jié)構(gòu)上的內(nèi)容，那么MRAM的優(yōu)勢(shì)究竟有哪些呢?下面我們分幾點(diǎn)一起來(lái)看看:首先，MRAM是非易失性存儲(chǔ)器，也就是斷電后MRAM依舊
2021-02-04
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NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模增速喜人
NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nand Flash具有容量大、單位容量成本低等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。
2021-02-03
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)MCU通用功能和技術(shù)點(diǎn)解析
電機(jī)驅(qū)動(dòng)MCU技術(shù)要點(diǎn)它是電機(jī)控制器即動(dòng)力輸出。通俗點(diǎn)就是你要加速他讓電機(jī)轉(zhuǎn)得快一些，要?jiǎng)x車他能讓電機(jī)轉(zhuǎn)的慢一點(diǎn)。所以他有如下特點(diǎn)：
2021-02-01
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