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富士通三種8Mbit FRAM產(chǎn)品能滿足客戶需求
富士通半導體存儲器解決方案為客戶提供以鐵電隨機存取存儲器(FRAM)為中心的存儲器產(chǎn)品和各種解決方案，這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性
2022-02-15
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國產(chǎn)存儲外部SRAM芯片EMI7064
外部SRAM作為執(zhí)行存儲器為無緩存的CPU工作時表現(xiàn)相對良好。當CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲器的高反應(yīng)時間時，外部SRAM的低反映時間特性有
2022-02-11
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國產(chǎn)SPI SRAM存儲器EMI7064MSMI
我司宇芯電子介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號處理過程的緩沖，MCU遠程升級的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國產(chǎn)SPI SRAM存儲器,EMI7064MSMI是一款具有
2022-01-26
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基于靈動微電子MM32F0133C6P微控制器的OBD診斷儀系統(tǒng)參考方案
已經(jīng)在MCU領(lǐng)域探索10年的靈動微電子在產(chǎn)品磨合上已經(jīng)積累了相當?shù)慕?jīng)驗和教訓，現(xiàn)正迎來智能家電和汽車電子市場快速增長的發(fā)展機遇。靈動微
2022-01-24
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SOT-MRAM與閃存和NAND的對比
在新的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)時代，另一種變體即將加入競爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)
2022-01-19
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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲器，位寬256*12，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工
2022-01-17
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