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2Mbit汽車級串行FRAM存儲器CY15V102QN
Excelon-AutoCY15V102QN是采用了高級鐵電工藝的汽車級2Mbit非易失性存儲器。鐵電性隨機存取存儲器（即FRAM）是一種非易失性存儲器，它跟RAM
2021-07-16
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缺貨漲價將加速MCU的國產(chǎn)替代進程
1、MCU是基礎(chǔ)控制芯片，ARM內(nèi)核占據(jù)主流，生態(tài)建設(shè)強化公司競爭力。MCU是縮減版的CPU，集合眾多外設(shè)，可實現(xiàn)智能化和輕量化控制，分類標準
2021-07-15
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32Mb高速SRAM芯片ISSI IS61WV204816BLL
ISSI32Mb高速SRAMISSIIS61WV204816BLL是高速32Mb靜態(tài)RAM，以16位2048K字的形式組織。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加
2021-07-14
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具有糾錯碼(ECC)的8Mb高速低功耗異步SRAM
ISSI基于糾錯的8Mb高速低功耗異步SRAM這種創(chuàng)新設(shè)計加強了ISSI對具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。該行業(yè)首款基于糾錯碼(ECC)的異步SRAM
2021-07-13
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SRAM存儲器是如何存儲數(shù)據(jù)的
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用
2021-07-12
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富士通4Mbit串行FRAM對EEPROM的兼容性更高
富士通半導(dǎo)體MB85RS4MT是一款4MbitFRAM，在富士通FRAM非易失性存儲器的串行接口系列中具有最高的密度。在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息
2021-07-09
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