国产乱伦一区,亚洲AV无码一区二区三区蜜柚,妺妺窝人体色WWW在线下载,成人精品中国熟妇
<mark id="4wmdm"></mark>
<fieldset id="4wmdm"><optgroup id="4wmdm"></optgroup></fieldset>
<fieldset id="4wmdm"></fieldset>
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
異步快速Async Fast
國產(chǎn)SRAM芯片
偽靜態(tài)隨機pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態(tài)SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內(nèi)存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機MCU
32位單片機MCU
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網(wǎng)站地圖
EN
案例&資訊
行業(yè)案例
>
資訊動態(tài)
>
案例&資訊
主頁 > 案例&資訊
MCU市場應(yīng)用和競爭
現(xiàn)今的MCU已經(jīng)演變成為完整的系統(tǒng)級芯片(SoC)，微處理器內(nèi)核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運放和DAC等;內(nèi)置的存儲器包括Fl
2021-12-06
查看詳情 >
ISSI代理帶SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI
ISSI型號IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串行SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術(shù)，位寬8*512K字節(jié)。它是兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在
2021-12-03
查看詳情 >
新一代MRAM放眼更廣泛應(yīng)用
在MRAM這類內(nèi)存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這
2021-12-02
查看詳情 >
靈動微電子提供MM32F3270微控制器助力“中移OneOS代碼貢獻賽”
在中移OneOS代碼貢獻賽中，靈動微電子將提供MM32F3270微控制器助力此次競賽。靈動微電子成立于2011年，是中國本土領(lǐng)先的通用32位MCU產(chǎn)品及
2021-12-01
查看詳情 >
實現(xiàn)高速運行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點，具有快速寫入速度、低
2021-11-26
查看詳情 >
芯片短缺的真實原因
對于芯片短缺的原因，業(yè)界眾說紛紜。典型的說法是新冠疫情這一最大的原罪，導(dǎo)致需求激增，汽車廠商與芯片上游的脫鉤、無計劃導(dǎo)致矛盾瞬間爆
2021-11-25
查看詳情 >
925條
上一頁
1
..
40
41
42
43
44
45
46
47
48
..
155
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業(yè)園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司W(wǎng)ridy company limited
產(chǎn)品中心
靜態(tài)隨機SRAM
偽靜態(tài)隨機pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態(tài)SDRAM
內(nèi)存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業(yè)案例
資訊動態(tài)
關(guān)于我們
關(guān)于宇芯
組織架構(gòu)圖
聯(lián)系我們
聯(lián)系我們
在線客服
2207232297
聯(lián)系電話
18926554009
