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今年Q1整體Nand Flash價格跌幅收斂至8~13%
據(jù)調(diào)查報告指出，今年Q1整體Nand Flash合約價跌幅較原先預(yù)期的10~15%，收斂至8~13%。這一罕見現(xiàn)象出現(xiàn)的原因，是采購端為規(guī)避物流風(fēng)險，能
2022-01-25
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基于靈動微電子MM32F0133C6P微控制器的OBD診斷儀系統(tǒng)參考方案
已經(jīng)在MCU領(lǐng)域探索10年的靈動微電子在產(chǎn)品磨合上已經(jīng)積累了相當?shù)慕?jīng)驗和教訓(xùn)，現(xiàn)正迎來智能家電和汽車電子市場快速增長的發(fā)展機遇。靈動微
2022-01-24
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STT-MRAM寫入速度比讀取速度慢10倍
MRAM是當今進入商業(yè)生產(chǎn)的眾多非易失性存儲器技術(shù)之一。早期版本，稱為切換 MRAM，已經(jīng)存在了一段時間，最新的商用選項是自旋轉(zhuǎn)移扭矩，或
2022-01-20
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SOT-MRAM與閃存和NAND的對比
在新的非易失性存儲器(NVM)技術(shù)時代，另一種變體即將加入競爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)
2022-01-19
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內(nèi)存Flash簡介
內(nèi)存Flash是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大
2022-01-18
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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲器，位寬256*12，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工
2022-01-17
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